FF11MR12W1M1B11BOMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | FF11MR12W1M1B11BOMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 40mA |
Technologie | Silicon Carbide (SiC) |
Supplier Device-Gehäuse | Module |
Serie | CoolSiC™+ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 100A, 15V |
Leistung - max | - |
Verpackung / Gehäuse | Module |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Chassis Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7950pF @ 800V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 15V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | FF11MR12 |
FF11MR12W1M1B11BOMA1 Einzelheiten PDF [English] | FF11MR12W1M1B11BOMA1 PDF - EN.pdf |
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FF11MR12W1M1B11BOMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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